Nghiên cứu mới nhất vềAvalanche Photodetector
Công nghệ phát hiện hồng ngoại được sử dụng rộng rãi trong trinh sát quân sự, theo dõi môi trường, chẩn đoán y tế và các lĩnh vực khác. Các máy dò hồng ngoại truyền thống có một số hạn chế về hiệu suất, chẳng hạn như độ nhạy phát hiện, tốc độ phản ứng, v.v. Vật liệu Superlattice (T2SL) của INAS/INASSB có đặc tính quang điện tuyệt vời và khả năng điều chỉnh, làm cho chúng trở nên lý tưởng cho các máy dò hồng ngoại sóng dài (LWIR). Vấn đề phản ứng yếu trong phát hiện hồng ngoại sóng dài là mối quan tâm trong một thời gian dài, điều này hạn chế đáng kể độ tin cậy của các ứng dụng thiết bị điện tử. Mặc dù quang điện tử Avalanche (Photodetector APD) có hiệu suất phản hồi tuyệt vời, nó bị dòng điện tối cao trong quá trình nhân.
Để giải quyết những vấn đề này, một nhóm từ Đại học Khoa học và Công nghệ Điện tử của Trung Quốc đã thiết kế thành công một Superlattice Superlattice (T2SL) hiệu suất cao (T2SL) (APD). Các nhà nghiên cứu đã sử dụng tốc độ tái tổ hợp Auger thấp hơn của lớp hấp thụ INAS/INASSB T2SL để giảm dòng tối. Đồng thời, Alassb có giá trị k thấp được sử dụng làm lớp nhân để ngăn chặn nhiễu thiết bị trong khi duy trì mức tăng đầy đủ. Thiết kế này cung cấp một giải pháp đầy hứa hẹn để thúc đẩy sự phát triển của công nghệ phát hiện hồng ngoại sóng dài. Máy dò áp dụng thiết kế theo từng bước và bằng cách điều chỉnh tỷ lệ thành phần của INAS và INASSB, sự chuyển đổi trơn tru của cấu trúc băng tần đã đạt được và hiệu suất của máy dò được cải thiện. Về quy trình lựa chọn và chuẩn bị vật liệu, nghiên cứu này mô tả chi tiết phương pháp tăng trưởng và các thông số quy trình của vật liệu INAS/INASSB T2SL được sử dụng để chuẩn bị máy dò. Xác định thành phần và độ dày của INAS/INASSB T2SL là rất quan trọng và cần điều chỉnh tham số để đạt được sự cân bằng ứng suất. Trong bối cảnh phát hiện hồng ngoại sóng dài, để đạt được bước sóng cắt tương tự như INAS/GASB T2SL, cần có một khoảng thời gian INAS/INASSB T2SL dày hơn. Tuy nhiên, monocycle dày hơn dẫn đến giảm hệ số hấp thụ theo hướng tăng trưởng và sự gia tăng khối lượng lỗ hiệu quả của các lỗ trong T2SL. Người ta thấy rằng việc thêm thành phần SB có thể đạt được bước sóng cắt dài hơn mà không làm tăng đáng kể độ dày của thời gian. Tuy nhiên, thành phần Sb quá mức có thể dẫn đến sự phân biệt các yếu tố Sb.
Do đó, inas/inas0.5sb0.5 T2SL với nhóm SB 0.5 đã được chọn làm lớp APD hoạt độngPhotodetector. INAS/INASSB T2SL chủ yếu phát triển trên các chất nền GASB, do đó, vai trò của GASB trong quản lý chủng cần được xem xét. Về cơ bản, đạt được trạng thái cân bằng biến dạng liên quan đến việc so sánh hằng số mạng trung bình của một siêu thị trong một khoảng thời gian với hằng số mạng của chất nền. Nói chung, biến dạng kéo trong INA được bù bằng biến dạng nén được đưa ra bởi INASSB, dẫn đến một lớp Inas dày hơn so với lớp InassB. Nghiên cứu này đã đo lường các đặc tính phản ứng quang điện của bộ quang điện tử Avalanche, bao gồm phản ứng quang phổ, dòng tối, tiếng ồn, v.v., và xác minh tính hiệu quả của thiết kế lớp bậc thang. Hiệu ứng nhân của Avalanche của bộ quang điện tử Avalanche được phân tích và mối quan hệ giữa hệ số nhân và công suất ánh sáng, nhiệt độ và các thông số khác được thảo luận.
QUẢ SUNG. . (B) Sơ đồ của các điện trường ở mỗi lớp của bộ quang điện tử APD.
Thời gian đăng: Tháng 1-06-2025